Samsung 10 nm DRAM Teknoloji Hırsızlığı: 10 Kişiye Suçlama, Büyük Zarar ve Ulusal Güvenlik Endişesi
Korea JoongAng Daily gazetesinin haberine göre, Seul Merkez Bölge Savcılığı, Samsung Electronics’ten 10 nanometre DRAM bellek teknolojisinin büyük ölçekli çalınması olayına karışan on kişiyi suçladı.
Aralarında eski Samsung çalışanlarının da bulunduğu beş kişi gözaltına alındı. Savcılık iddialarına göre, şirket ve ülke ekonomisine verilen zarar büyük rakamlarla ifade ediliyor; şirkete verilen zararın 5 trilyon won (yaklaşık 3,5 milyar dolar), Güney Kore ekonomisine verilen zararın ise on trilyonlarca won olduğu tahmin ediliyor.
Soruşturma, 2016 yılında kurulan Çinli şirket ChangXin Memory Technologies’in (CXMT) araştırma ve geliştirme biriminin başına eski bir Samsung departman yöneticisini getirdiğini ortaya çıkardı. Bu kişinin, diğer eski Samsung çalışanlarıyla birlikte teknoloji hırsızlığını organize etmek için bir komplo kurduğu iddia ediliyor.
Davada yer alan suçlamalardan biri, Samsung’un beş yıldır geliştirmekte olduğu DRAM bellek üretim sürecindeki yüzlerce adımın elle kopyalanması ve bu bilgiden 1,6 trilyon won kazanç sağlanmasıdır. Sanıkların, gözetimden ve tutuklanmadan kaçınmak amacıyla paravan şirket kurdukları, düzenli olarak ofis değiştirdikleri ve iletişim için kendi şifreli dillerini icat ettikleri belirtildi.
Elde edilen verilerin Çin ekipmanlarına uyarlanması sonucunda CXMT’nin 2023 gibi erken bir tarihte gelişmiş bellek üretimine başlaması ve böylece teknoloji açığını kapatması sağlandı. Savcılar, yarı iletken endüstrisinin Güney Kore’nin toplam ihracatının %20’sinden fazlasını oluşturması nedeniyle bu davanın ulusal güvenliğe tehdit teşkil ettiğini vurguladı.
Yetkililer, yurt dışına yasa dışı teknoloji transferi girişimlerine karşı sert önlemler almaya devam edeceklerini ve hem yerel yetkilileri hem de Çin’de faaliyet gösteren planlara karışanları cezalandıracaklarını açıkladılar.
